CDR04BP152BJUS 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的功� MOSFET 芯片,采� N 溝道增強(qiáng)型技�(shù)。該芯片具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域�
其封裝形式為 SO-8(PowerPAK SO-8�,能夠有效提升散熱性能,同�(shí)節(jié)省電路板空間�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�32A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�19nC
�(kāi)�(guān)速度:超�
工作溫度范圍�-55� � 150�
封裝形式:SO-8(PowerPAK SO-8�
CDR04BP152BJUS 的主要特�(diǎn)包括�
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操作,非常適合高頻率開(kāi)�(guān)電源�(shè)�(jì)�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性�
4. 緊湊� PowerPAK SO-8 封裝,有助于減少 PCB 占用面積,同�(shí)提供良好的熱性能�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. 在多種應(yīng)用中表現(xiàn)出卓越的可靠性和�(wěn)定�,例如工�(yè)�(shè)備、通信電源及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率轉(zhuǎn)換部��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中作為主功率�(kāi)�(guān)或同步整流元件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)組件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的橋臂�(kāi)�(guān)�
4. 各種�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路中的�(guān)鍵元件�
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中用于充放電路徑控制�
6. 可再生能源系�(tǒng)如太�(yáng)能逆變器內(nèi)的功率調(diào)節(jié)模塊�
IRFZ44N
AO3400A
FDP5800
STP36NF06L