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NTJD2152PT2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/11/6 17:47:16 查看 閱讀�152

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)

目錄

概述

制造商:ONSemiconductor
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)
RoHS:否
配置:Dual
晶體管極性:P-Channel
電阻汲極/源極RDS(導(dǎo)通)�0.51Ohms
正向跨導(dǎo)gFS(最大�/最小值)�2S
汲極/源極擊穿電壓�-8V
�/源擊穿電壓:+/-8V
漏極連續(xù)電流�-0.775A
功率耗散�0.27W
最大工作溫度:+150

安裝�(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOT-363
封裝:Reel
最小工作溫度:-55

ntjd2152pt2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntjd2152pt2參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 �(gè) P 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)8V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C775mA
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C300 毫歐 @ 570mA�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds225pF @ 8V
  • 功率 - 最�270mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)