NTD6416ANT4G是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,由ON Semiconductor(現(xiàn)為安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),旨在提供高效率和低�(dǎo)通電阻的特�,適用于各種功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)�。其封裝形式為TO-263-3(DPAK�,具有出色的散熱性能和易于安裝的特點(diǎn)�
NTD6416ANT4G的工作電壓范圍較�,支持高�(dá)60V的漏源極電壓,同�(shí)具備低至0.0058Ω的最大導(dǎo)通電阻(在Vgs=10V�(shí)�。這些特點(diǎn)使其非常適合用于�(fù)載開�(guān)、同步整�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
最大漏源極電壓�60V
最大柵源極電壓:�20V
連續(xù)漏極電流�37A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.0058Ω(Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷�49nC
輸入電容�2260pF
總功耗:173W
工作溫度范圍�-55℃至175�
1. 高效率:
NTD6416ANT4G具有非常低的�(dǎo)通電�,可顯著降低�(dǎo)通損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
2. 高可靠性:
該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體技�(shù)制�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,并且具備較高的抗浪涌能��
3. �(yōu)異的熱性能�
其TO-263-3封裝�(shè)�(jì)提供了良好的散熱路徑,確保在高功率應(yīng)用中也能保持較低的結(jié)��
4. 快速開�(guān)�
較小的柵極電荷使得該MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān),減少開�(guān)損��
5. 寬工作電壓:
支持高達(dá)60V的漏源極電壓,適用于多種電源管理�(yīng)用場(chǎng)��
1. �(fù)載開�(guān)�
由于其低�(dǎo)通電阻和高電流承載能力,NTD6416ANT4G非常適合用作�(fù)載開�(guān),在需要頻繁開啟或�(guān)閉電路的�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
2. 同步整流�
在開�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器中,該MOSFET可以用作同步整流管以替代肖特基二極管,從而提高效率并降低�(fā)熱�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
這款MOSFET可以用來�(qū)�(dòng)小型直流電機(jī)或步�(jìn)電機(jī),滿足高性能要求的同�(shí)保持較低的成��
4. 電池保護(hù)�
在便攜式電子�(shè)備中,NTD6416ANT4G可用于電池組的過流保�(hù)電路,確保電池的安全使用�
NTD6416NPT1G
IRFZ44N
FDP55N06L