日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > CSD86336Q3D

CSD86336Q3D 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 20:58:59 查看 閱讀�26

CSD86336Q3D 是一款來自德州儀� (TI) � NexFET 功率 MOSFET,采用先進的封裝技�(shù)�(shè)�。這款器件專為高頻開關(guān)�(yīng)用而優(yōu)化,具有較低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,能夠顯著提高效率并降低功��
  它廣泛適用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流電路以及負載點 (POL) �(zhuǎn)換等場景,同時其小型封裝特性使得其在空間受限的�(yīng)用中非常理想�

參數(shù)

類型:功� MOSFET
  封裝:DSBGA (2.5mm x 2.9mm)
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
  漏源擊穿電壓 (BVDSS)�30V
  最大連續(xù)漏極電流 (Id)�78A(典型值)
  柵極電荷 (Qg)�7nC(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  熱阻 (RθJC)�33°C/W

特�

CSD86336Q3D 具備以下顯著特點�
  1. 高效性能:低 Rds(on) 和低 Qg 提高了整體系�(tǒng)效率,減少能量損��
  2. 小型化設(shè)計:采用 DSBGA 封裝,節(jié)� PCB 空間,適合緊湊型�(yīng)��
  3. 快速開�(guān)能力:低柵極電荷確保更小的開�(guān)損�,支持高頻操��
  4. 熱穩(wěn)定性:良好的散熱性能使其能夠在高電流和高溫環(huán)境下�(wěn)定運行�
  5. 可靠性:�(jīng)過嚴格測�,具備出色的耐用性和可靠�,可滿足嚴苛的工作條件�
  該器件非常適合要求高效能和高可靠性的電源管理系統(tǒng)�

�(yīng)�

CSD86336Q3D 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)�
   - 同步整流拓撲中的高端或低端開�(guān)
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
   - 多相降壓�(zhuǎn)換器中的功率級元�
   - 負載� (POL) �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)�
  3. 電池管理�
   - 動態(tài)負載均衡及保護電�
  4. 電機�(qū)動:
   - 用于�(qū)動小型直流無刷電機的開關(guān)元件
  5. 消費類電子:
   - 筆記本電腦適配器和服�(wù)器電源模塊中的關(guān)鍵組�

替代型號

CSD86337Q3D, CSD86357Q3D, CSD86362Q3D

csd86336q3d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

csd86336q3d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�10,000Factory查看交期
  • 價格2,500 : �5.86703卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 � N 通道(半橋)
  • FET 功能邏輯電平柵極�5V �(qū)�
  • 漏源電壓(Vdss�25V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)20A(Ta�
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)9.1 毫歐 @ 20A�5V�3.4 毫歐 @ 20A�5V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)1.9V @ 250μA�1.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)3.8nC @ 45V�7.4nC @ 45V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)494pF @ 12.5V�970pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大�6W
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封�8-VSON�3.3x3.3�