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時(shí)間：2025/5/21 19:22:03
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NTD4858NT4G是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管，適用于廣泛的開關(guān)和功率管理應(yīng)用。該器件采用TO-263封裝形式，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高電流處理能力的特點(diǎn)。其設(shè)計(jì)主要用于電信、消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備中的電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載開關(guān)場(chǎng)景。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：11A
導(dǎo)通電阻（典型值）：40mΩ
總功耗：11W
工作結(jié)溫范圍：-55℃至150℃
NTD4858NT4G具備以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，可減少功率損耗并提高效率。
2. 快速開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性。
4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求。
5. TO-263封裝提供良好的散熱性能，能夠支持更高的功率輸出。
這款MOSFET廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流和主開關(guān)。
2. 電機(jī)控制電路中的驅(qū)動(dòng)元件。
3. 工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池管理和保護(hù)電路。
5. 通信設(shè)備中的信號(hào)路徑隔離與功率分配。
NTD4958N, IRFZ44N, FDP5570
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