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CSD16401Q5 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 18:20:53 查看 閱讀�21

CSD16401Q5是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的場效應(yīng)晶體管(FET�。該器件采用增強型氮化鎵技�(shù),能�?qū)崿F(xiàn)更高的開�(guān)速度和更低的�(dǎo)通電�,非常適合用于高頻、高效能的應(yīng)用場�。其�(shè)計優(yōu)化了熱性能和電氣性能,從而可以顯著提升電源轉(zhuǎn)換效�,并減小系統(tǒng)尺寸�

參數(shù)

類型:增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體�
  封裝:QFN-8
  最大漏源電壓(Vds):100V
  連續(xù)漏極電流(Id):4A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):7mΩ
  柵極電荷(Qg):28nC
  輸入電容(Ciss):395pF
  輸出電容(Coss):7.5pF
  反向傳輸電容(Crss):15pF
  工作溫度范圍�-55°C � 150°C

特�

CSD16401Q5采用了先進的氮化鎵技�(shù),具有卓越的開關(guān)性能和低損耗特點�
  1. 高開�(guān)頻率支持:由于較低的寄生電容和柵極電�,該器件可支持高達數(shù)MHz的工作頻率,適用于高頻AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 低導(dǎo)通電阻:僅為7mΩ的導(dǎo)通電阻使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,降低了傳導(dǎo)損��
  3. 熱性能�(yōu)越:�(yōu)化的封裝�(shè)計提高了散熱能力,確保器件在高溫�(huán)境下也能�(wěn)定運��
  4. 小尺寸封裝:QFN-8封裝節(jié)省了PCB空間,使得整體解決方案更加緊湊�
  5. 寬工作溫度范圍:�-55°C�150°C的寬溫范�,使它能夠在極端�(huán)境條件下使用�

�(yīng)�

CSD16401Q5主要�(yīng)用于高頻高效電源�(zhuǎn)換領(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):如AC-DC適配器、USB-PD充電器等�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于服�(wù)器、通信�(shè)備和工業(yè)自動化中的高效直流變��
  3. 圖形處理器(GPU)供電模塊:為高性能計算提供高效的電源管��
  4. 快速充電器:支持更高功率密度的�(shè)計,滿足�(xiàn)代消費電子對快速充電的需��
  5. 能量收集系統(tǒng):利用其高效率和低損耗特性來�(yōu)化能量轉(zhuǎn)換效率�

替代型號

CSD18502Q5A, CSD16381Q5B

csd16401q5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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csd16401q5參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�NexFET MOSFET Technology
  • 視頻文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 標準包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 毫歐 @ 40A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.9V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4100pF @ 12.5V
  • 功率 - 最�3.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SON
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-24525-6