NRS5030T3R3MMGJV 是一款超小型、低導通電阻的 N 沗道功率 MOSFET。該器件采用先進的制造工�,具有出色的開關特性和較低的導通損�,非常適合用于高效能電源管理應用。其封裝形式為業(yè)界標準的小型化封�,能夠顯著減� PCB 占用空間�
這款 MOSFET 在消費電�、通信設備和工�(yè)控制領域中被廣泛應用。由于其� RDS(on) 特�,可以有效降低系�(tǒng)功耗,提高整體效率�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.8A
導通電阻(RDS(on)):3.4mΩ
柵極電荷�9nC
總電容:120pF
工作溫度范圍�-55� to 150�
封裝類型:DFN2020-6
NRS5030T3R3MMGJV 具有以下主要特性:
1. 超低導通電阻(3.4mΩ),可顯著降低傳導損��
2. 小型化封裝設計(DFN2020-6�,有助于節(jié)� PCB 布局空間�
3. 快速開關能力,適合高頻應用�
4. 支持寬廣的工作溫度范圍(-55°C � +150°C),確保在惡劣環(huán)境下的可靠��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�
6. 提供高可靠性和�(wěn)定性,適用于各種嚴苛的工業(yè)與消費類應用場景�
NRS5030T3R3MMGJV 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) 中的同步整流電路�
2. DC/DC 轉換器中的功率開關�
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關�
4. 電機驅動及負載切換控��
5. 移動設備和其他便攜式電子�(chǎn)品中的電源管理解決方��
6. LED 驅動器中的電流調節(jié)和保護功��
NTR5030N3L, BSC018N06NS5, IRF7843