DMP31D1UQ是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),采用DFN3*3-8封裝形式。該器件主要用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、負載開�(guān)等應用領(lǐng)�,具有低導通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�4.5A
導通電阻:25mΩ
柵極電荷�12nC
輸入電容�290pF
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至175�
DMP31D1UQ具備超低的導通電阻,能夠顯著降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
該器件采用了先進的制造工�,確保了其在高頻開關(guān)條件下的�(wěn)定性和可靠��
其小型化的DFN3*3-8封裝適合空間受限的應用場�,并且具備良好的散熱性能�
DMP31D1UQ還擁有較寬的工作溫度范圍,適用于各種嚴苛�(huán)境下的電子設(shè)備�
該MOSFET廣泛應用于消費類電子�(chǎn)�、工�(yè)控制和汽車電子領(lǐng)��
典型應用包括DC-DC�(zhuǎn)換器、電池管理模塊、負載開�(guān)、電機驅(qū)動電路以及信號切換電路等�
由于其高效的功率傳輸能力和緊湊的尺寸,它特別適合對能效和空間有嚴格要求的�(shè)��
DMP3031UEH
DMN2032UF
AO3400