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MUN5334DW1T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/29 11:46:26 查看 閱讀�788

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)� 

家庭:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�

晶體管類型:1 �(gè) NPN�1 �(gè) PNP - �(yù)偏壓式(雙)

電流 - 集電� (Ic)(最大)�100mA

電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�50V

電阻� - 基極 (R1)(歐):22K

電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐):47K

在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)�80 @ 5mA, 10V

Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�250mV @ 1mA, 10mA

電流 - 集電極截止(最大)�500nA

頻率 - �(zhuǎn)換:-

功率 - 最大:250mW

安裝類型:表面貼� 

封裝/外殼:SC-70-6,SC-88,SOT-363 

包裝:帶� (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-363

資料

廠商
ON Semiconductor

mun5334dw1t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mun5334dw1t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�1 �(gè) NPN�1 �(gè) PNP - �(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�22k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�47k
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)80 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 1mA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 功率 - 最�250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)