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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FGA20S120M

FGA20S120M 發(fā)布時間 時間�2023/12/19 17:33:00 查看 閱讀�289

�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-3
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 1200 V
集電極—射極擊穿電�: 1200 V
集電極—射極飽和電�: 1.55 V
柵極/�(fā)射極最大電�: 25 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 40 A
柵極—射極漏泄電�: 250 nA
功率耗散: 348 W
封裝: Tube
最大工作溫�: + 150

最小工作溫�: - 55

安裝�(fēng)�: Through Hole

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  • �(chǎn)品型�
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fga20s120m參數(shù)

  • 標準包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列ShortedAnode™
  • IGBT 類型溝道和場截止
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1200V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�1.85V @ 15V�20A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)40A
  • 功率 - 最�348W
  • 輸入類型標準�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-3PN
  • 包裝管件