�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-3
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 1200 V
集電極—射極擊穿電�: 1200 V
集電極—射極飽和電�: 1.55 V
柵極/�(fā)射極最大電�: 25 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 40 A
柵極—射極漏泄電�: 250 nA
功率耗散: 348 W
封裝: Tube
最大工作溫�: + 150�
最小工作溫�: - 55�
安裝�(fēng)�: Through Hole