MM60F060B是一款N溝道增強型MOSFET功率晶體�,主要應用于需要高效開關和低導通電阻的場景。該器件采用TO-220封裝形式,具有良好的熱性能和電氣特�,適用于電源管理、電機驅�、逆變器以及其他高電流應用領域�
該型號以其高擊穿電壓、低導通電阻以及快速開關能力著�,能夠滿足多種工�(yè)和消費類電子設備的需��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�38A
導通電阻(典型值)�15mΩ
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
總功耗:125W
工作結溫范圍�-55℃~150�
MM60F060B具備以下顯著特點�
1. 高擊穿電壓設計使其能夠在高達60V的工作環(huán)境下�(wěn)定運行�
2. 極低的導通電阻(15mΩ�,有助于減少功率損耗并提高效率�
3. 快速開關特性使得其在高頻應用中表現(xiàn)出色�
4. TO-220封裝提供�(yōu)秀的散熱性能,支持大電流操作�
5. 廣泛的工作溫度范圍確保其適應各種惡劣�(huán)��
這款MOSFET廣泛用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)和直流-直流轉換器中的功率開��
2. 電動工具及家用電器中的電機驅動電��
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換與控��
4. 工業(yè)自動化設備中的繼電器替代方案�
5. 各種保護電路,如過流保護和短路保護�
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5800