BSC252N10NSF G 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體管。該器件采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù),適用于高效率開�(guān)�(yīng)�,廣泛用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),可顯著降低系統(tǒng)功耗并提高整體性能�
BSC252N10NSF G 的封裝形式為 TO-263-3 (D2PAK),這種封裝�(shè)�(jì)能夠提供良好的額定電壓為100V,最大持�(xù)漏極電流可達(dá)25A,適用于各種中高壓應(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:100V
最大漏極電流:25A
�(dǎo)通電阻(典型值)�8mΩ
柵極電荷(典型值)�34nC
輸入電容(典型值)�1170pF
工作溫度范圍�-55� to 175�
封裝類型:TO-263-3 (D2PAK)
BSC252N10NSF G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損�,從而提升系�(tǒng)的整體效��
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
3. 高雪崩耐量,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性�
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
5. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下�(zhǎng)期可靠運(yùn)��
6. �(nèi)置二極管功能,簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)并減少外部元件需��
這款MOSFET的設(shè)�(jì)使其成為高性能功率�(zhuǎn)換和電機(jī)控制的理想選��
BSC252N10NSF G 常見(jiàn)的應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS�,如適配�、充電器��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和伺服系�(tǒng)�
3. 逆變器和太陽(yáng)能微逆變器�
4. 汽車電子中的�(fù)載切換和DC-DC�(zhuǎn)��
5. 各種電池管理系統(tǒng)(BMS)�
由于其出色的電氣特性和可靠�,BSC252N10NSF G 在眾多需要高效功率管理的�(chǎng)合中表現(xiàn)出色�
BSC252N10NS3, IRFB3207, FDP252AN