MS621R-II27E是一款高性能的CMOS低功耗靜�(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM�。該芯片主要�(yīng)用于需要高速數(shù)�(jù)讀寫和低功耗特性的場景,例如通信�(shè)�、工�(yè)控制、醫(yī)療儀器以及消�(fèi)類電子產(chǎn)�。這款芯片采用先�(jìn)的制造工藝,確保了其在高�、高濕等惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠��
MS621R-II27E具有較高的集成度,能夠提供較大的存儲容量,并支持快速的�(shù)�(jù)訪問速度。同時,它還具備掉電保護(hù)功能,在電源異常時可以有效保�(hù)�(shù)�(jù)的完整��
存儲容量�512K x 8 bits
工作電壓�2.7V � 3.6V
工作電流�20mA(典型值)
待機(jī)電流�1μA(最大值)
�(shù)�(jù)保持時間:無�
訪問時間�10ns(最大值)
封裝形式:TSSOP-32
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
抗震等級:符合MIL-STD-202G�(biāo)�(zhǔn)
MS621R-II27E采用了先�(jìn)的CMOS技�(shù),具備低功耗和高速度的特��
1. 高速性能:訪問時間僅�10ns,適用于對實時性要求較高的�(yīng)用場��
2. 超低功耗:待機(jī)電流低至1μA,非常適合電池供電設(shè)��
3. 寬工作電壓范圍:2.7V�3.6V的工作電壓范圍增�(qiáng)了其適應(yīng)性,可以在多種電源環(huán)境下正常工作�
4. �(wěn)定性高:經(jīng)過嚴(yán)格測�,能夠在極端溫度條件下長期穩(wěn)定運(yùn)行�
5. 掉電保護(hù):內(nèi)置保�(hù)電路,在系統(tǒng)掉電時能夠自動保存數(shù)�(jù),避免數(shù)�(jù)丟失�
6. 小型化設(shè)計:采用TSSOP-32封裝,體積小�,適合空間受限的�(yīng)用場��
MS621R-II27E廣泛�(yīng)用于各類需要高效數(shù)�(jù)存儲和處理的�(lǐng)��
1. 工業(yè)自動化:用于�(shù)�(jù)采集、監(jiān)控系�(tǒng)中的緩存存儲�
2. 通信�(shè)備:適用于路由器、交換機(jī)等網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的臨時數(shù)�(jù)存儲�
3. �(yī)療設(shè)備:如監(jiān)�(hù)儀、超聲波�(shè)備中的高速緩存模��
4. 消費(fèi)電子:數(shù)碼相�(jī)、打印機(jī)等產(chǎn)品中作為圖像或打印數(shù)�(jù)的緩沖區(qū)�
5. 汽車電子:在�(dǎo)航系�(tǒng)、娛樂系�(tǒng)中提供可靠的�(shù)�(jù)存儲解決方案�
6. 物聯(lián)�(wǎng)終端:為智能終端�(shè)備提供高效的存儲支持,滿足低功耗和高性能的需求�
MS621R-I27E, MS621R-III27E