2SK3291是一種N溝道MOSFET晶體�,廣泛應用于高頻功率放大器、射頻開關和音頻功率放大器等場景。該器件以其高增益、低噪聲和高擊穿電壓特性而著�,非常適合需要高性能和高�(wěn)定性的電子電路設計�
2SK3291通常用于音頻功率放大器的驅動級或輸出�,以及在射頻應用中作為功率放大器的核心元�。其出色的線性特性和較低的導通電阻使其成為許多高性能模擬電路的理想選��
類型:N溝道MOSFET
最大耗散功率(Pd):50W
漏源擊穿電壓(BVDSS):80V
柵極閾值電壓(Vgs(th)):2V~4V
漏極電流(Id):12A
輸入電容(Ciss):370pF
跨導(Gfs):12S
結溫范圍�-55℃~+150�
2SK3291具有以下主要特性:
1. 高增益和低噪聲性能,適用于高頻和射頻應用�
2. 較低的導通電�,能夠有效降低功率損耗�
3. 高擊穿電�,確保在高壓�(huán)境下的可靠運行�
4. 良好的熱�(wěn)定�,支持長時間工作而不易損��
5. 快速開關能�,適用于高速開關電��
6. 緊湊的封裝形式,方便集成到小型化設計��
2SK3291的主要應用領域包括:
1. 音頻功率放大器中的驅動級和輸出級元件�
2. 射頻功率放大�,特別是在高頻通信設備��
3. 高效開關電源和逆變器電��
4. 工業(yè)控制設備中的功率調節(jié)和開關功能�
5. 無線通信系統(tǒng)中的射頻信號處理模塊�
6. 測試與測量設備中的信號放大與處理部分�
2SK291, 2SK3289