LZP60N06是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-252封裝形式。這款器件主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等場景。其設(shè)計旨在提供高效率和低導(dǎo)通損耗,適合于需要良好熱性能和電氣特性的應(yīng)用環(huán)境。
該器件的最大工作電壓為60V,具有較低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低系統(tǒng)功耗,同時具備快速開關(guān)特性,有助于提高整體效率。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流:18A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):40mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
柵極電荷:33nC
總功耗:1.6W
工作結(jié)溫范圍:-55℃至+150℃
LZP60N06具有以下特點:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠在大電流應(yīng)用中減少功耗并提升效率。
2. 高速開關(guān)能力,支持高頻電路設(shè)計,從而減小磁性元件體積。
3. 較高的雪崩耐量,增強了器件在異常條件下的魯棒性。
4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
5. 小型化封裝,便于PCB布局和散熱設(shè)計。
LZP60N06適用于多種電力電子領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如適配器和充電器。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,包括降壓和升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
3. 電機驅(qū)動,用于控制直流無刷電機或步進電機。
4. 負(fù)載開關(guān),用于保護后端電路免受過流或短路的影響。
5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制開關(guān)。
IRF540N
FDP15N60E
STP18NF06