BSC059N04LS6 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 沒爾場效�(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件采用先�(jìn)� SuperSO8 封裝,適用于高效能開�(guān)和功率管理應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度特性使其非常適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場��
B6 的最大漏源電壓為 40V,連續(xù)漏極電流可達(dá) 13A,導(dǎo)通電阻典型值為 5.9mΩ。這些參數(shù)確保了其在高效率和低損耗方面的卓越表現(xiàn)�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�13A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.9mΩ
柵極電荷�21nC
總電容:1780pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
封裝形式:SuperSO8
BSC059N04LS6 具備低導(dǎo)通電阻特�,從而降低了傳導(dǎo)損耗,提高了整體效��
� MOSFET 還具有較低的柵極電荷,有助于�(shí)�(xiàn)快速開�(guān),�(jìn)一步減少開�(guān)損��
其緊湊的 SuperSO8 封裝提供了出色的熱性能,并適合空間受限的設(shè)�(jì)�
由于支持的工作溫度范圍廣�,該器件能夠在極端環(huán)境條件下保持�(wěn)定運(yùn)��
BSC059N04LS6 采用無鉛�(shè)�(jì),符� RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��
BSC059N04LS6 廣泛�(yīng)用于各種高效功率�(zhuǎn)換場�,例如筆記本電腦適配�、電源模�、消�(fèi)類電子設(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
此外,它還適用于工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
在汽車電子領(lǐng)�,這款 MOSFET 可用作負(fù)載開�(guān)或保�(hù)電路中的�(guān)鍵元件�
由于其出色的電氣特性和熱性能,BSC059N04LS6 在需要高性能和高可靠性的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
BSC063N04LS_G
BSC058N04LS_G