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KDZTFTR18B 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 10:46:07 查看 閱讀�9

KDZTFTR18B是一種高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等高效率電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持高效和�(wěn)�。KDZTFTR18B適用于多種工�(yè)和消�(fèi)類電子應(yīng)�,提供出色的熱性能和可靠��

參數(shù)

型號(hào):KDZTFTR18B
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�18A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  總功�(Ptot)�140W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-247

特�

KDZTFTR18B是一款專為高功率密度�(shè)�(jì)�(yōu)化的MOSFET器件,其主要特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操作,減少磁性元件體�,�(jìn)一步提升功率密��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了在短路或異常情況下的魯棒性�
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,能夠有效降低開�(guān)噪聲并提高EMI性能�
  5. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下也能保持較低的導(dǎo)通電阻漂移�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保要求�

�(yīng)�

KDZTFTR18B廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),包括AC-DC適配器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)控制�
  3. 電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽�(HEV)中的逆變器模塊�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單��
  5. 太陽(yáng)能微型逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
  6. 高頻共振變換器及諧振電路�
  7. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�

替代型號(hào)

IRFZ44N, FQP18N06, STP18NF06

kdztftr18b推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)