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CBG160808U271T 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 10:37:18 查看 閱讀�32

CBG160808U271T 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,適用于高頻和高效率的電力電子應用。該器件采用了先進的封裝技術以�(yōu)化散熱性能,并且能夠顯著提高開關頻率和降低導通損耗。其典型應用場景包括電源適配�、快充設�、無線充電模塊以及DC-DC�(zhuǎn)換器�。由于其卓越的性能表現(xiàn),CBG160808U271T 成為新一代高頻高效電源設計的理想選擇�
  該芯片集成了�(qū)動電路與保護功能,從而減少了外圍元件�(shù)量并提高了系�(tǒng)可靠�。同�,它支持高達100V的工作電壓范�,具有較低的導通電阻,使得其在輕載和滿載條件下均能保持較高的轉(zhuǎn)換效��

參數(shù)

型號:CBG160808U271T
  類型:增強型氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET�
  最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流�8A
  導通電阻(Rds(on)):27mΩ
  柵極閾值電壓:1.5V~3.5V
  工作溫度范圍�-40℃~+125�
  封裝形式:DFN8�3mm x 3mm�
  開關頻率:支持高�5MHz

特�

CBG160808U271T 具備以下顯著特點�
  1. 氮化鎵材料的應用使其能夠在高頻下實現(xiàn)更低的開關損耗和導通損�,從而提升整體效��
  2. �(nèi)置驅(qū)動電路簡化了設計流程,同時減少了對外部驅(qū)動IC的需��
  3. 支持快速瞬�(tài)響應,非常適合用于USB PD快充和其他動�(tài)負載�(huán)��
  4. 提供全面的保護功�,如過流保護(OCP)、過溫保護(OTP)和短路保護(SCP),確保在異常情況下設備的安全運��
  5. 小型化的DFN8封裝節(jié)省了PCB空間,有助于開發(fā)緊湊型產(chǎn)��
  6. 高效散熱設計使芯片能夠在高功率密度條件下長期�(wěn)定工��

應用

CBG160808U271T 廣泛應用于以下領域:
  1. USB-PD快充頭及便攜式電源適配器�
  2. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是那些需要小體積和高效能的設��
  3. 工業(yè)用AC-DC電源模塊,例如服務器電源或通信設備電源�
  4. 無線充電�(fā)射端和接收端的功率傳輸電��
  5. LED�(qū)動器中的同步整流部分�
  6. 消費類電子產(chǎn)品中的電池管理系�(tǒng)(BMS)和能量回收單元�
  這款芯片憑借其高性能指標和靈活的適用�,成為眾多現(xiàn)代電子設備的核心組件�

替代型號

CBG160808U251T
  NV6115
  TPS2559

cbg160808u271t推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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