K4U6E3D4AB-MGCL 是一款由三星(Samsung)制造的 DDR5 SDRAM �(nèi)存顆�。該型號(hào)屬于三星的先�(jìn)存儲(chǔ)�(chǎn)品線,采�10nm�(jí)制程工藝制�,支持更高的�(shù)�(jù)傳輸速率和更低的功�。其�(shè)�(jì)主要面向高性能�(jì)�、服�(wù)�、數(shù)�(jù)中心以及高端消費(fèi)�(lèi)電子�(shè)備等�(lǐng)��
DDR5相較于DDR4有著顯著的性能提升,包括更高的頻率、更大的單顆芯片容量以及更優(yōu)化的能耗表�(xiàn)。K4U6E3D4AB-MGCL在內(nèi)部架�(gòu)上�(jìn)行了改�(jìn),具備更�(qiáng)的信�(hào)完整性和可靠��
�(lèi)型:DDR5 SDRAM
容量�8 Gb (1 GB)
組織�16Gb x 8
核心電壓�1.1V
I/O電壓�1.1V
速度�6400 Mbps (即DDR5-6400)
工作溫度�-40°C ~ +95°C
封裝形式:BGA 72-ball
刷新模式:自�(dòng)刷新/自刷�
突發(fā)�(zhǎng)度:16, 32
CAS延遲�40, 42, 44
K4U6E3D4AB-MGCL采用了DDR5�(biāo)�(zhǔn)的諸多新特�,包括但不限于以下方面:
1. 更高的帶寬:相比DDR4,DDR5提供了兩倍的基礎(chǔ)帶寬,并且可以通過(guò)多通道架構(gòu)�(jìn)一步提升性能�
2. 改�(jìn)的電源管理:集成的PMIC(電源管理集成電路)有助于更精確地控制電�,降低功��
3. ECC支持:片上糾�(cuò)功能提升了數(shù)�(jù)的可靠性和完整性�
4. 雙子通道架構(gòu):每�(gè)DIMM被劃分為兩�(gè)�(dú)立的子通道,從而減少了總線�(zhēng)用并提高了效��
5. �(wěn)定性增�(qiáng):通過(guò)更好的信�(hào)完整性和更先�(jìn)的錯(cuò)誤檢�(cè)�(jī)制確保了�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行�
此外,該器件還支持CA�(xùn)練和�(xiě)� leveling等高�(jí)功能�?xún)?yōu)化時(shí)序和接口性能�
K4U6E3D4AB-MGCL廣泛適用于需要高帶寬�(nèi)存的各種�(chǎng)�,具體包括:
1. 高性能服務(wù)器和工作站:
為數(shù)�(jù)中心和云�(jì)算環(huán)境提供快速的�(shù)�(jù)處理能力�
2. AI和機(jī)器學(xué)�(xí)平臺(tái)�
支持深度�(xué)�(xí)模型�(xùn)練所需的海量數(shù)�(jù)吞吐�
3. 圖形工作站:
滿足�(fù)�3D建模和渲染任�(wù)�(duì)�(nèi)存性能的需��
4. 游戲PC�
為主流及�(fā)燒級(jí)游戲玩家?guī)�?lái)流暢體驗(yàn)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化和嵌入式系�(tǒng)�
�(yīng)用于需要長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的�(guān)鍵任�(wù)型設(shè)備中�
K4U6E3D4BB-MGCL
K4U6E4D4AB-MGCL
K4U6G3D4AB-MGCL