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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210H154MBAAT31G

GA1210H154MBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 9:02:37 查看 閱讀�16

GA1210H154MBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度以及出色的熱性能。其封裝形式� TO-263(D2PAK),適合高電流密度的�(yīng)用環(huán)��
  該型�(hào)屬于 N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,適用于各種需要高效能�(zhuǎn)換和�(wěn)定輸出的電子電路�(shè)�(jì)。憑借其�(yōu)異的電氣特性和可靠�,它在工�(yè)控制、消�(fèi)電子及汽�(chē)電子�(lǐng)域都有廣泛應(yīng)��

參數(shù)

�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
  封裝:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�70A
  柵極-源極電壓:�20V
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  總功耗:165W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  存儲(chǔ)溫度范圍�-65� � +150�

特�

GA1210H154MBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))僅� 1.5mΩ,可顯著降低傳導(dǎo)損耗,提高效率�
  2. 高額定電流能�,支持高�(dá) 70A 的連續(xù)漏極電流,滿(mǎn)足大功率�(yīng)用需��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并改善�(dòng)�(tài)響應(yīng)�
  4. �(qiáng)大的散熱�(shè)�(jì),能夠承受更高的�(jié)�,提升系�(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電子�(chǎn)品中�
  6. 寬泛的工作溫度范圍(-55� � +175℃),適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條件�

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 主要用于以下�(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器或主�(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高頻�(kāi)�(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)組件�
  4. 各類(lèi)�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 汽車(chē)電子系統(tǒng),例如電池管理系�(tǒng)(BMS�、電�(dòng)助力�(zhuǎn)向(EPS)以及逆變��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�

替代型號(hào)

IRF7849PBF
  FDP16N60E
  STP70NF06L

ga1210h154mbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.15 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-