型號(hào)：GA0603Y182JBBAR31G
　　類(lèi)型：射頻功率晶體管
　　頻率范圍：50 MHz 至 3 GHz
　　輸出功率：50 W（典型值）
　　增益：15 dB（典型值）
　　電源電壓：28 V
　　封裝形式：表面貼裝 (SMD)
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
　　輸入匹配阻抗：50 Ω
　　輸出匹配阻抗：50 Ω

GA0603Y182JBBAR31G 具備以下主要特性：
　　1. 高輸出功率能力，在高頻范圍內(nèi)表現(xiàn)出色，適合多種通信應(yīng)用。
　　2. 采用高效的散熱設(shè)計(jì)，能夠有效降低熱阻，提高器件的可靠性。
　　3. 內(nèi)部集成保護(hù)電路，可防止過(guò)壓和過(guò)流情況對(duì)晶體管造成損害。
　　4. 良好的線性度表現(xiàn)，有助于減少信號(hào)失真，提高通信質(zhì)量。
　　5. 支持表面貼裝技術(shù)，便于自動(dòng)化生產(chǎn)，提升裝配效率。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。

該晶體管主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 無(wú)線通信基站的射頻功率放大器。
　　2. 微波鏈路和點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電設(shè)備。
　　3. 工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療 (ISM) 頻段的射頻發(fā)射器。
　　4. 測(cè)試與測(cè)量?jī)x器中的射頻信號(hào)源。
　　5. 軍事和航空航天領(lǐng)域的高性能射頻系統(tǒng)。
　　6. 移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施中的高效率功率放大器模塊。

GA0603Y182JBBAR29G, GA0603Y182JBBAR30G