K4T51163QE-ZCE6是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一款DDR4 SDRAM�(nèi)存顆�,主要用于臺(tái)式機(jī)、筆記本電腦和其他電子設(shè)備中的內(nèi)存模�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,提供高帶寬和低功耗特�,廣泛應(yīng)用于高性能�(jì)算和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中�
這款芯片屬于三星的Green Package系列,具有環(huán)保特�,符合RoHS�(biāo)�(zhǔn)。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了信號(hào)完整性和�(shù)�(jù)傳輸速率,支持現(xiàn)代處理器�(duì)�(nèi)存性能的高要求�
類型:DDR4 SDRAM
容量�8Gb (1Gx8)
電壓�1.2V
速度�3200Mbps
封裝:BGA 78-ball
工作溫度�-40°C to +85°C
I/O�(biāo)�(zhǔn):SSTL 1.2
K4T51163QE-ZCE6采用了DDR4技�(shù),相比前代DDR3擁有更高的數(shù)�(jù)傳輸速率和更低的工作電壓,從而提高了能效�
其具備以下特�(diǎn)�
1. 支持自動(dòng)刷新和自定時(shí)刷新功能,降低了控制器的�(fù)雜��
2. 提供�(qiáng)大的�(cuò)誤檢�(cè)功能,如CRC校驗(yàn)和奇偶校�(yàn),增�(qiáng)了數(shù)�(jù)可靠��
3. �(nèi)置溫度傳感器,能�?qū)崟r(shí)�(jiān)控芯片溫度以�(yōu)化系�(tǒng)性能�
4. 使用BGA封裝,減少了寄生電感和電容的影響,提升了信號(hào)�(zhì)量�
5. 具有出色的電磁兼容�(EMC),適合在�(fù)雜電磁環(huán)境中使用�
這些特性使得K4T51163QE-ZCE6成為�(gòu)建高性能�(jì)算機(jī)和服�(wù)器的理想選擇�
K4T51163QE-ZCE6主要�(yīng)用于需要大容量高速存�(chǔ)的場(chǎng)�,包括但不限于:
1. 桌面�(jì)算機(jī)和工作站的內(nèi)存條�
2. 高性能筆記本電��
3. �(shù)�(jù)中心和企�(yè)�(jí)服務(wù)��
4. 工業(yè)控制和嵌入式系統(tǒng)�
5. 圖形處理單元(GPU)相�(guān)的高帶寬需求設(shè)��
由于其環(huán)保特性和卓越性能,它還適用于綠色�(jì)算解決方案以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品市�(chǎng)�
K4T51163QF-ZCE6
K4T51163QH-ZCE6
K4T51163QD-ZCE6