GA0805Y392JBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持高效性能�
其封裝形式為 TO-252(DPAK�,能夠提供優(yōu)異的散熱性能,適合在緊湊型設(shè)�(jì)中使用�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�47A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�28nC
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
GA0805Y392JBABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,可�(mǎn)足高頻應(yīng)用需��
3. 小型封裝�(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
4. 寬工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的可靠��
5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)芯片的抗靜電能力�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(mǎn)足國(guó)際法�(guī)要求�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)�
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載切�
6. LED �(qū)�(dòng)電路
7. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�
IRFZ44N
FDP5500
AOT460
STP55NF06L