RS-06K200JT是一種高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動以及其他需要高效功率轉換和控制的場�。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電�、快速開關速度以及出色的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低能��
RS-06K200JT的設計使其非常適合高頻應用,同時其堅固的結構能夠在嚴苛的工作條件下保持可靠運��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�20A
導通電�(Rds(on))�0.15Ω
總功�(Ptot)�370W
工作溫度范圍�-55� to +150�
封裝形式:TO-247
RS-06K200JT的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,適用于高壓�(huán)境下的電力電子設��
2. 極低的導通電�,可有效減少功率損耗�
3. 快速開關速度,支持高頻率操作,有助于減小系統(tǒng)體積�
4. 內置保護機制,如過流保護和短路保�,提升了整體系統(tǒng)的可靠性�
5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,即使在高溫�(huán)境下也能維持�(wěn)定性能�
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保設計,適合現代電子產品的環(huán)保要��
RS-06K200JT適用于以下典型應用場景:
1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
2. DC-DC轉換器的核心功率元件�
3. 逆變器及不間斷電源(UPS)中的功率轉換模��
4. 各類電機驅動電路,例如伺服電機和步進電機驅��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率調節(jié)與控制單��
6. 光伏逆變器及其他新能源發(fā)電系�(tǒng)的功率管理部��
IRFP260N
STP17NS60
FQA18N65S3