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IRF8915TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 9:29:25 查看 閱讀�32

IRF8915TR 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道功率MOSFET晶體�。該器件采用TO-263封裝形式,具有較高的電流處理能力和較低的�(dǎo)通電阻。它專為高頻開關(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),適用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等場景�
  IRF8915TR的典型特�(diǎn)是具備快速開�(guān)速度以及高效�,其�(nèi)置的體二極管能夠有效減少反向恢復(fù)�(shí)�,從而降低開�(guān)損�。這款器件在汽車電子、工�(yè)控制以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中得到了廣泛應(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  最大連續(xù)漏極電流�17A
  最大脈沖漏極電流:34A
  �(dǎo)通電阻:7.5mΩ
  柵極電荷�27nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:30ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

IRF8915TR是一款高性能的功率MOSFET,其主要特點(diǎn)包括�
  1. 高電流處理能力:支持高達(dá)17A的連續(xù)漏極電流,適合大功率�(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:�7.5mΩ的導(dǎo)通電阻確保了低功耗運(yùn)�,提升了系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能:通過�(yōu)化的�(shè)�(jì)�(jié)�(gòu),IRF8915TR具備極短的反向恢�(fù)�(shí)間(30ns�,從而減少開�(guān)損耗并提高高頻性能�
  4. 耐熱性:能夠�-55℃到+175℃的寬溫度范圍內(nèi)可靠工作,適用于惡劣�(huán)境下的應(yīng)��
  5. 封裝緊湊:采用標(biāo)�(zhǔn)TO-263封裝,便于安裝和散熱管理�
  這些特性使IRF8915TR成為許多高效�、高頻開�(guān)�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

IRF8915TR廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場�,具體包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于DC-DC�(zhuǎn)換器、AC-DC適配器等�(shè)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于無刷直流電機(jī)(BLDC)、步�(jìn)電機(jī)和其他類型的電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 汽車電子:如車載充電�、逆變�、電�(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化:用于可編程邏輯控制器(PLC�、伺服驅(qū)�(dòng)器和工業(yè)電源�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如筆記本電腦適配�、游戲機(jī)電源模塊等�
  由于其出色的電氣特性和可靠�,IRF8915TR在上述領(lǐng)域中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

IRF840, IRF540N

irf8915tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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irf8915tr資料 更多>

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irf8915tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18.3 毫歐 @ 8.9A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7.4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds540pF @ 10V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)