GA1206Y184JXJBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換等場景。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點,能夠有效提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
此型號屬于溝道增強型場效應(yīng)晶體管(MOSFET),廣泛用于消費電子、工業(yè)設(shè)備以及通信領(lǐng)域。
類型:MOSFET
封裝:TO-252 (DPAK)
Vds(漏源極電壓):100V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):18mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):12A
柵極電荷:28nC
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
最大功耗:1.9W
GA1206Y184JXJBR31G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可減少傳導(dǎo)損耗,從而提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)性能,有助于降低開關(guān)損耗,適合高頻應(yīng)用。
3. 高可靠性設(shè)計,能夠在惡劣的工作環(huán)境下長期穩(wěn)定運行。
4. 小型化封裝,節(jié)省 PCB 空間,便于緊湊型設(shè)計。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
6. 支持高溫操作,確保在各種溫度條件下的穩(wěn)定性。
該芯片適用于多種應(yīng)用場景,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源中的同步整流電路。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率開關(guān)元件。
3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)。
4. 各類電機驅(qū)動電路,如步進電機或無刷直流電機控制。
5. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
6. 消費類電子產(chǎn)品中的過流保護電路。
IRF540N, FDP5800