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L2N7002SLT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 16:05:45 查看 閱讀�24

L2N7002SLT1G是一款雙通道N溝道MOSFET功率晶體管,采用SO-8封裝形式。該器件專為高效�、低功耗應(yīng)用設(shè)計,適用于開�(guān)電源、DC/DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)等場��
  它具有極低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)),從而能夠減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。同時,其出色的開關(guān)性能和高擊穿電壓使其非常適合需要快速開�(guān)和高可靠性的�(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:45V
  連續(xù)漏極電流�2.9A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ
  柵極電荷�15nC
  總電容:25pF
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:SO-8

特�

L2N7002SLT1G具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 雙通道�(shè)�,便于同步控制兩個獨立電��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(典型值為35mΩ),可有效降低導(dǎo)通損��
  3. 高速開�(guān)能力,支持高頻工�,適合現(xiàn)代高效能電源�(shè)��
  4. 出色的熱�(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下仍能保持高性能�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
  6. 小型化SO-8封裝,有助于節(jié)省PCB空間并簡化布局�(shè)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率級控制�
  2. DC/DC�(zhuǎn)換器的核心開�(guān)元件�
  3. 各類負載開關(guān),例如USB端口保護或電池管理�
  4. 電機�(qū)動和H橋電路中的功率開�(guān)�
  5. 過流保護和短路保護電��
  6. 消費類電子產(chǎn)�、工�(yè)�(shè)備及通信�(shè)備中的電源管理模��

替代型號

LTC4412、IRF7413、AO3400

l2n7002slt1g推薦供應(yīng)� 更多>

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