時間：2025/5/22 2:43:49
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IPP045N10N3G是英飛凌（Infineon）公司生產(chǎn)的MOSFET功率晶體管。該器件屬于P溝道增強型MOSFET，采用TO-220封裝形式。它主要適用于高電壓、大電流的開關應用場合，例如電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等領域。
IPP045N10N3G的設計特點是具有較低的導通電阻（Rds(on)），從而提高效率并降低功耗。同時，其快速開關特性和高雪崩能力也使其在惡劣環(huán)境下的性能更加可靠。
最大漏源電壓：100V
連續(xù)漏極電流：-4.5A
柵極-源極電壓：±20V
導通電阻：350mΩ
總功耗：17W
工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
IPP045N10N3G具備低導通電阻特性，能夠在較高電流條件下減少功率損耗。此外，其出色的熱穩(wěn)定性使其能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持一致的性能。該器件還支持快速開關操作，有助于減少開關損耗。
IPP045N10N3G的高雪崩能量能力增強了其在突發(fā)短路或過載條件下的可靠性。這種能力對于需要長時間穩(wěn)定運行的應用非常重要。另外，其優(yōu)化的封裝設計也有助于散熱性能的提升。
IPP045N10N3G廣泛應用于各種電力電子領域，包括但不限于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載切換電路、逆變器以及各類電機驅(qū)動器中。由于其優(yōu)異的電氣特性和可靠性，該器件特別適合用于工業(yè)設備中的電源管理和控制模塊。此外，它也可以用作通用功率開關，在家用電器、汽車電子及通信設備中有較多應用。
IPP045N10N_G, IRF9530, BUZ11
