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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1 發(fā)布時間 時間�2025/5/26 19:21:25 查看 閱讀�16

IPD042P03L3GATMA1是一款N溝道功率MOSFET,采用先進的制程技術制�。該器件具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機�(qū)動應��
  該MOSFET的封裝形式為TO-263(DPAK),具備較高的電流處理能力和良好的散熱特�,能夠滿足現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)對效率和可靠性的要求�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�42A
  導通電阻(典型值)�1.5mΩ
  總柵極電荷:38nC
  開關時間:ton=9ns,toff=17ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

1. 極低的導通電�,可有效降低傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開關性能,適合高頻應用場��
  3. 高雪崩能�,增強了器件在異常情況下的耐用��
  4. 符合RoHS標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
  5. 良好的熱�(wěn)定性和可靠性,確保長時間運行的�(wěn)定��
  6. 封裝形式緊湊,便于PCB布局設計�

應用

1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的主開關或同步整流開��
  3. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
  4. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
  5. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理模��
  6. 太陽能逆變器和其他新能源相關設備的功率�(zhuǎn)換部分�

替代型號

IPD038P03L3GATMA1
  IRLB8748PBF
  FDP048N03L

ipd042p03l3gatma1推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipd042p03l3gatma1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1�(xiàn)�
  • 價格1 : �15.98000剪切帶(CT�2,500 : �7.31356卷帶(TR�
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)70A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)4.2 毫歐 @ 70A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2V @ 270μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)175 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)12400 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�PG-TO252-3
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63