IPD042P03L3GATMA1是一款N溝道功率MOSFET,采用先進的制程技術制�。該器件具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機�(qū)動應��
該MOSFET的封裝形式為TO-263(DPAK),具備較高的電流處理能力和良好的散熱特�,能夠滿足現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)對效率和可靠性的要求�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�42A
導通電阻(典型值)�1.5mΩ
總柵極電荷:38nC
開關時間:ton=9ns,toff=17ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 極低的導通電�,可有效降低傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開關性能,適合高頻應用場��
3. 高雪崩能�,增強了器件在異常情況下的耐用��
4. 符合RoHS標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
5. 良好的熱�(wěn)定性和可靠性,確保長時間運行的�(wěn)定��
6. 封裝形式緊湊,便于PCB布局設計�
1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的主開關或同步整流開��
3. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
5. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理模��
6. 太陽能逆變器和其他新能源相關設備的功率�(zhuǎn)換部分�
IPD038P03L3GATMA1
IRLB8748PBF
FDP048N03L