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IPB027N10N3G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 13:38:10 查看 閱讀�22

IPB027N10N3G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻、高效率和快速開(kāi)�(guān)特�,非常適合用于各種開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他電力電子�(yīng)��
  這款 MOSFET 的最� drain-source 電壓� 100V,能夠承受較高的電壓波動(dòng),同�(shí)具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠�,使其成為工�(yè)和消�(fèi)類應(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

最� drain-source 電壓�100V
  最� continuous drain 電流�27A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,� Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷(Qg):28nC(典型值)
  輸入電容(Ciss):2650pF(典型值)
  總功耗:14W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

1. 高效的溝槽式 MOSFET 技�(shù),顯著降低導(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)損耗�
  2. 極低� Rds(on),使得在高電流應(yīng)用中�(fā)熱更��
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操作,適用于開(kāi)�(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  4. �(qiáng)大的雪崩能力和短路耐受能力,提高系�(tǒng)可靠性�
  5. 小型封裝�(shè)�(jì)(TO-Leadless�,有助于節(jié)� PCB 空間并優(yōu)化散熱性能�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  7. 廣泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種極端�(huán)境下的應(yīng)用需��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  4. 工業(yè)逆變�
  5. 充電器及適配�
  6. LED 照明�(qū)�(dòng)電路
  7. 各種功率�(zhuǎn)換模�
  8. 太陽(yáng)能微逆變器等新能源設(shè)�
  9. 家用電器中的功率管理單元

替代型號(hào)

IPW27N10N3G, IPSW27N10N3G

ipb027n10n3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)