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IRF8736TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/15 14:51:17 查看 閱讀�327

IRF8736TRPBF是一種N溝道MOSFET功率晶體管,由國際整流器公司生產(chǎn)。它具有低電�(dǎo)電阻、高開關(guān)速度和低開關(guān)損失等優(yōu)�(diǎn),適用于各種高速開�(guān)�(yīng)用場�,如DC-DC�(zhuǎn)換器、低壓電�、馬�(dá)控制器等�
  IRF8736TRPBF的操作原理基于MOSFET的工作原�。MOSFET是一種三極管,由�、漏、柵極組�。當(dāng)輸入信號(hào)加到柵極上時(shí),柵極與源極之間的電場會(huì)形成一�(gè)�(dǎo)通通道,使得電流可以從漏極流過,從而實(shí)�(xiàn)電路的開�(guān)。IRF8736TRPBF采用N溝道MOSFET�(jié)�(gòu),當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓(Vth)時(shí),N溝道的電子會(huì)被吸�,形成導(dǎo)通通道,從而實(shí)�(xiàn)電路的導(dǎo)�。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí),導(dǎo)通通道消失,電路斷��

基本�(jié)�(gòu)

IRF8736TRPBF的基本結(jié)�(gòu)是一�(gè)N溝道MOSFET�(jié)�(gòu),包括源、漏、柵極和基底四�(gè)部分。其中源極與漏極之間通過N溝道形成�(dǎo)通通道,柵極用于控制通道的導(dǎo)通和截止,基底用于保證晶體管的穩(wěn)定性和可靠性。IRF8736TRPBF采用TO-263封裝形式,具有良好的散熱性能和可靠性�

參數(shù)

1、額定電壓:30V
  2、額定電流:60A
  3、導(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  4、最大漏極電壓:60V
  5、門極電荷:135nC
  6、靜�(tài)參數(shù):IDSS=2.5uA,VGS(th)=1.3V
  7、封裝形式:D2PAK

特點(diǎn)

1、低�(dǎo)通電阻:該器件的�(dǎo)通電阻僅�3.5mΩ,可以在高頻開關(guān)電路中提供更高的效率�
  2、快速開�(guān)速度:該器件具有快速的開關(guān)速度,可以在高頻開關(guān)電路中提供更高的開關(guān)頻率�
  3、低開關(guān)損耗:該器件的開關(guān)損耗很�,可以減少電路的功��
  4、高溫度性能:該器件可以在高溫環(huán)境下正常工作,適用于一些高溫應(yīng)用場合�
  5、符合RoHS要求:該器件符合RoHS要求,對(duì)�(huán)境友��

工作原理

IRF8736TRPBF是一款N溝道MOSFET,其工作原理與普通MOSFET相同。當(dāng)施加正向電壓到晶體管的柵極時(shí),會(huì)�(chǎn)生一�(gè)電場,將電子推向源極,從而形成一�(gè)�(dǎo)通通道,使得電流可以流過晶體管。當(dāng)施加反向電壓到晶體管的柵極時(shí),導(dǎo)通通道�(huì)被關(guān)�,電流無法流過晶體管�

�(yīng)�

IRF8736TRPBF適用于以下應(yīng)用場合:
  1、高頻開�(guān)電路:由于該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和低開關(guān)損耗等特點(diǎn),因此適用于高頻開關(guān)電路�
  2、電源管理:由于該器件具有高溫度性能,因此適用于一些需要在高溫�(huán)境下工作的電源管理應(yīng)��
  3、電�(jī)控制:由于該器件具有高電流和低導(dǎo)通電阻等特點(diǎn),因此適用于電機(jī)控制�(yīng)��

�(shè)�(jì)流程

�(shè)�(jì)高頻開關(guān)電路�(shí),可以按照以下流程�(jìn)行:
  1、確定電路的工作頻率和電壓:根據(jù)具體的應(yīng)用場合和要求,確定電路的工作頻率和電��
  2、選擇合適的MOSFET:根�(jù)電路的工作頻�、電壓和電流要求,選擇合適的MOSFET。在選擇MOSFET�(shí),需要考慮其導(dǎo)通電�、開�(guān)速度、開�(guān)損耗和最大漏極電壓等參數(shù)�
  3、設(shè)�(jì)�(qū)�(dòng)電路:根�(jù)所選MOSFET的門極電荷和工作電壓,設(shè)�(jì)合適的驅(qū)�(dòng)電路。驅(qū)�(dòng)電路的設(shè)�(jì)需要考慮到門極電壓的�(wěn)定�、電流驅(qū)�(dòng)能力和電路的噪聲等因��
  4、�(jìn)行電路仿真:使用SPICE軟件等工具,�(duì)電路�(jìn)行仿�,驗(yàn)證電路的性能和穩(wěn)定性�
  5、調(diào)試和�(yōu)化電路:根據(jù)仿真�(jié)果�(jìn)行電路調(diào)試和�(yōu)�,確保電路的性能和穩(wěn)定性符合要��

irf8736trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf8736trpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irf8736trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.8 毫歐 @ 18A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.35V @ 50µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2315pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF8736TRPBFTR