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HT2N60 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 7:33:30 查看 閱讀：7

HT2N60是一種高壓功率MOSFET，采用N溝道增強(qiáng)型設(shè)計(jì)。該器件適用于高電壓和高效率應(yīng)用場(chǎng)合，能夠提供較低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，從而減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　HT2N60通常被用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源（SMPS）、DC-DC轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景中。其出色的耐壓能力和低導(dǎo)通損耗特性使其非常適合工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備中的各種開關(guān)和調(diào)節(jié)任務(wù)。

參數(shù)

最大漏源電壓：600V
　　連續(xù)漏極電流：2A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：8.5Ω
　　柵極電荷：15nC
　　總電容（輸入電容）：430pF
　　反向恢復(fù)時(shí)間：90ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃

特性

HT2N60具有以下關(guān)鍵特性：
　　1. 高耐壓能力，額定漏源電壓為600V，適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
　　2. 較低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），在典型條件下為8.5Ω，有助于降低功耗。
　　3. 快速開關(guān)性能，具備較小的柵極電荷和反向恢復(fù)時(shí)間，優(yōu)化動(dòng)態(tài)損耗。
　　4. 寬溫度范圍操作，能夠在-55℃到+150℃的工作結(jié)溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 具備良好的雪崩能力和抗靜電能力（ESD），增強(qiáng)了器件的可靠性。

應(yīng)用

HT2N60廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）和離線式電源適配器。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及升壓/降壓電路。
　　3. 各種工業(yè)控制設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換。
　　4. 能量回收和電池管理系統(tǒng)中的功率級(jí)組件。
　　5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理和保護(hù)電路。
　　6. 照明系統(tǒng)的鎮(zhèn)流器和LED驅(qū)動(dòng)電路。

替代型號(hào)

IRF840,
　　FDP7850,
　　STP2N60,
　　FQA2N60C

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