GA1206A120KBBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)。該器件主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的電子系統(tǒng)中。其高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性使其在高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
該型號(hào)中的具體參數(shù)定義如下:GA表示產(chǎn)品系列,1206A為封裝類型,120K為額定電壓(120V),BBB為Rds(on)等級(jí)(通常表示低導(dǎo)通電阻),T31G為特定功能版本或優(yōu)化改進(jìn)型。
額定電壓:120V
最大電流:45A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ
柵極電荷:28nC
輸入電容:1540pF
工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
封裝形式:TO-220
GA1206A120KBBBT31G具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓:該器件能夠承受高達(dá)120V的電壓,適用于各種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 極低導(dǎo)通電阻:僅為3.5mΩ,有效降低了導(dǎo)通損耗,提高了整體效率。
3. 快速開關(guān)速度:得益于較低的柵極電荷和輸入電容,器件能夠在高頻條件下運(yùn)行,非常適合開關(guān)電源等高頻應(yīng)用。
4. 熱性能優(yōu)異:經(jīng)過(guò)優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)和材料選擇,使其能夠在極端溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
5. 可靠性高:遵循嚴(yán)格的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試流程,確保了長(zhǎng)期使用的可靠性。
該芯片廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于提高電源轉(zhuǎn)換效率并減少能量損失。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器:適合車載電子設(shè)備、工業(yè)控制和其他需要高效直流電壓轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):可用于電動(dòng)車窗、座椅調(diào)節(jié)以及家用電器中的小型電機(jī)控制。
4. 負(fù)載切換:如電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載保護(hù)和切換電路。
5. 其他功率管理場(chǎng)景:包括不間斷電源(UPS)、逆變器等需要高效功率管理的場(chǎng)合。
IRFZ44N
FQP50N06L
STP120NF06L