HMT312S6BFR6C-H9N0 是一款由 Micron(美光科技)生�(chǎn)� DRAM �(nèi)存顆�。該型號屬于 LPDDR4X 系列,主要應用于移動設備、平板電腦以及其他對功耗敏感的電子�(chǎn)品中。LPDDR4X 是一種低功耗的動態(tài)隨機存取存儲器技術,它通過降低 I/O 電壓進一步減少了功�,同時保持了較高的數(shù)�(jù)傳輸速率�
這款芯片采用 BGA 封裝形式,具有高密度、低功耗和高性能的特�,非常適合需要高效能和節(jié)能的應用場景�
類型:DRAM
系列:LPDDR4X
容量�6Gb
組織方式�72 bits
I/O 電壓�0.6V
VDD/VDDQ 電壓�1.1V
�(shù)�(jù)速率�4266 Mbps
封裝形式:BGA
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
引腳�(shù)�190
HMT312S6BFR6C-H9N0 的主要特性包括:
1. 超低功耗設計:相比傳統(tǒng)� LPDDR4,LPDDR4X 進一步降低了 I/O 電壓,從而減少功耗�
2. 高性能表現(xiàn):支持高� 4266 Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代移動設備對高速數(shù)�(jù)處理的需��
3. 高密度存儲:單顆芯片即可提供 6Gb 的存儲容量,適合大內(nèi)存需求的應用�
4. 可靠性高:經(jīng)過嚴格的�(zhì)量控制流�,確保在各種�(huán)境下的穩(wěn)定運行�
5. 小型化封裝:采用 BGA 封裝形式,節(jié)� PCB 空間,便于在緊湊型設備中的應��
6. 廣泛的工作溫度范圍:能夠� -40°C � +85°C 的溫度范圍內(nèi)正常工作,適應多種使用環(huán)��
HMT312S6BFR6C-H9N0 主要應用于以下領域:
1. 智能手機和平板電腦:作為主內(nèi)存,提供快速的�(shù)�(jù)訪問和高效的能耗管��
2. 可穿戴設備:由于其低功耗特�,適用于智能手表和其他便攜式電子設備�
3. 物聯(lián)�(wǎng)設備:為需要實時數(shù)�(jù)處理的物�(lián)�(wǎng)設備提供可靠的內(nèi)存支持�
4. 嵌入式系�(tǒng):用于工�(yè)自動�、醫(yī)療設備等需要高性能�(nèi)存的嵌入式應用場��
5. 筆記本電腦和超極本:提供更高的內(nèi)存帶寬和更低的功�,提升用戶體驗�
HMT356S6EFR8C-H9K0
HMT356S6BFR8C-KBC0
HMT328S6EFR8A-H9J0