L2N7002FLT1G 是一款由意法半導體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的N溝道邏輯電平增強型MOSFET。這款器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開�(guān)特�,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,適合表面貼裝,提供良好的熱性能和電氣性能�
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):49A
導通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(在 Vgs=10V 時)
柵極電荷(Qg):85nC
總耗散功率(Ptot):144W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
L2N7002FLT1G 具有低導通電阻特性,有助于降低功率損耗并提高效率�
該器件的快速開�(guān)能力使其非常適合高頻開關(guān)�(yīng)用�
其邏輯電平驅(qū)動設(shè)計簡化了與數(shù)字控制器的接口設(shè)��
具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下可靠運行�
表面貼裝封裝形式便于自動化生�(chǎn)和組��
符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子制造要��
L2N7002FLT1G 廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS�、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、逆變�、負載開�(guān)以及其他需要高效功率管理的�(lǐng)域�
它特別適合需要高電流處理能力和低功耗的�(shè)計場�,例如工�(yè)�(shè)�、消費類電子�(chǎn)品以及汽車電子系�(tǒng)�
IRLB8748PBF
IXFN40N06L
FDP5800
AO3400