HMC349LP4C是Analog Devices公司生產(chǎn)的GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA),工作頻率范圍�10 GHz�20 GHz。該器件具有高增�、低噪聲系數(shù)和高�(xiàn)性度的特�(diǎn),非常適合用于點(diǎn)�(duì)�(diǎn)�(wú)�(xiàn)�、VSAT和其他微波通信�(yīng)�。其采用�(wú)引線(xiàn)塑封(QFN)封裝形�,有助于�(jiǎn)化系�(tǒng)集成和散熱管��
該芯片設(shè)�(jì)用于在小尺寸和低功耗條件下提供卓越的射頻性能,適合各種高性能射頻�(yīng)用環(huán)��
型號(hào):HMC349LP4C
�(lèi)型:GaAs pHEMT MMIC LNA
工作頻率范圍�10 GHz � 20 GHz
增益�16 dB 典型�
噪聲系數(shù)�2.5 dB 典型�
輸入回波損耗:15 dB 典型�
輸出回波損耗:12 dB 典型�
P1dB輸出功率�+15 dBm 典型�
電源電壓�+4 V
工作電流�65 mA 典型�
封裝形式�4x4 mm QFN
HMC349LP4C是一款高度集成的低噪聲放大器,具有以下顯著特�(diǎn)�
1. 高增益:典型增益�16 dB,能夠在高頻段提供出色的信號(hào)增強(qiáng)效果�
2. 低噪聲系�(shù):典型值為2.5 dB,確保在接收�(jī)前端�(shí)�(xiàn)極低的信�(hào)失真�
3. 寬帶操作:支持從10 GHz�20 GHz的工作頻率范�,滿(mǎn)足多種微波通信需求�
4. 高線(xiàn)性度:P1dB輸出功率可達(dá)+15 dBm,適用于要求�(yán)格的�(xiàn)性應(yīng)��
5. �(jiǎn)化的匹配�(wǎng)�(luò):芯片內(nèi)部集成了輸入和輸出匹配網(wǎng)�(luò),從而減少了外部元件的需��
6. 小型化設(shè)�(jì):采�4x4 mm QFN封裝,便于安裝在空間受限的環(huán)境中�
7. 低功耗:典型工作電流僅為65 mA,在保證性能的同�(shí)降低了系�(tǒng)的整體能��
8. 易于使用:只需少量外部元件即可�(shí)�(xiàn)完整的射頻解決方��
HMC349LP4C廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(diǎn)�(duì)�(diǎn)�(wú)�(xiàn)電通信系統(tǒng)
2. �(wèi)星通信中的VSAT�(shè)�
3. 軍事雷達(dá)與電子對(duì)抗系�(tǒng)
4. �(cè)試與�(cè)�?jī)x�
5. 微波鏈路及中繼站
6. �(wú)�(xiàn)基礎(chǔ)�(shè)施如基站和中繼設(shè)�
其出色的射頻性能使其成為這些高性能�(yīng)用的理想選擇�
HMC351LP4E
HMC362MS8G
HMC354LP4E