CBR08C209A5GAC 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率、高頻開�(guān)功率器件,專為要求高性能和高可靠性的�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片采用了先�(jìn)的封裝工�,能夠提供低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度。其主要�(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器以及高效能的電力電子�(shè)備中�
CBR08C209A5GAC 的核心優(yōu)勢在于其�(jié)合了氮化鎵材料的�(yōu)異特�,包括高擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率和低開�(guān)損�。這些特性使其成為傳�(tǒng)硅基功率器件的理想替代方案�
型號(hào):CBR08C209A5GAC
類型:GaN 功率晶體�
額定電壓�650V
額定電流�8A
�(dǎo)通電阻:20mΩ
最大結(jié)溫:175�
柵極電荷�30nC
反向恢復(fù)�(shí)間:無(常關(guān)型)
封裝形式:TO-252
CBR08C209A5GAC 擁有以下顯著特性:
1. 高電壓耐受能力:其額定電壓�650V,適用于各種高壓�(yīng)用場景�
2. 低導(dǎo)通電阻:20mΩ 的導(dǎo)通電阻有助于降低�(dǎo)通損�,提升整體效率�
3. 快速開�(guān)性能:由于采用了氮化鎵技�(shù),該芯片具有極快的開�(guān)速度和較低的柵極電荷,可顯著減少開關(guān)損��
4. 熱穩(wěn)定性:能夠在高�(dá)175� 的結(jié)溫下正常工作,保證在極端�(huán)境中的可靠��
5. 小型化設(shè)�(jì):TO-252 封裝形式使得其適合對(duì)空間敏感的應(yīng)用場��
6. 高效節(jié)能:相較于傳�(tǒng)的硅基MOSFET,CBR08C209A5GAC 提供更高的功率轉(zhuǎn)換效�,同�(shí)降低了系�(tǒng)散熱需求�
CBR08C209A5GAC 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):包括適配�、充電器和工�(yè)電源等,以實(shí)�(xiàn)更高效的能量�(zhuǎn)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器:用于汽車電�、通信�(shè)備和服務(wù)器電源模�,提供快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)和高效率�
3. 太陽能逆變器:�(yōu)化光伏系�(tǒng)的電力傳輸效��
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器:支持更高頻率的操�,提高電�(jī)控制精度�
5. 電池管理系統(tǒng):幫助實(shí)�(xiàn)快速充放電控制和能量回收功��
此外,它還可用于其他需要高�、高效功率轉(zhuǎn)換的場合�
CRB08C209A5GAC, CBR08C210A5GAC