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SI2371EDS-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 22:01:40 查看 閱讀�8

SI2371EDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種高效能的電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。其封裝形式� SC-74A(SOT-665),非常適合空間受限的設(shè)�(jì)場景�
  � MOSFET 的主要特�(diǎn)是其�(yōu)化的電氣性能和熱性能,能夠在高頻工作條件下保持高效的能量�(zhuǎn)�,并提供出色的電流承載能�。此�,由于其小型化封�,它成為消費(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)域的理想選擇�

參數(shù)

型號:SI2371EDS-T1-GE3
  品牌:Vishay
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  VDS(漏源極擊穿電壓):30 V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型�,@VGS=4.5V):8 mΩ
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型�,@VGS=10V):5.5 mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):9 A
  f(最大工作頻率)�5 MHz
  封裝:SC-74A(SOT-665�
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

SI2371EDS-T1-GE3 提供了多種優(yōu)越的特性以適應(yīng)�(xiàn)代電力電子設(shè)�(jì)需求:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)) 可有效減少導(dǎo)通損�,從而提高整體效��
  2. 高速開�(guān)性能支持高頻�(yīng)�,降低了系統(tǒng)的磁性元件體積與成本�
  3. 小型化的 SC-74A 封裝使其特別適合于對 PCB 空間要求�(yán)格的場合�
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  5. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(jīng)過優(yōu)�,具備優(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠�,可長時(shí)間在高溫�(huán)境下�(yùn)��
  6. 在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的電氣性能,適用于各種�(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)��

�(yīng)�

該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies, SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流開�(guān)�
  3. 電池保護(hù)電路,例如鋰電池管理系統(tǒng)�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的低端開�(guān)�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的信號隔離和功率傳輸控制�
  7. �(jì)算機(jī)及外�(shè)、通信�(shè)備中的高效功率管理模塊�
  8. 各種便攜式設(shè)備的功率級切換和管理�

替代型號

SI2307DS, SI2306DS, SI2322DS

si2371eds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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si2371eds-t1-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �3.42000剪切帶(CT�3,000 : �0.75127卷帶(TR�
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)4.8A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�2.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)45 毫歐 @ 3.7A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1W(Ta��1.7W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3