HGTG12N60C3D 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET,采� Trench 技術制�。該器件具有低導通電�、高開關速度和良好的熱性能,適用于高頻開關應用。其額定電壓� 600V,能夠承受較高的瞬態(tài)電壓,同時具備出色的耐用性和可靠��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�12A
導通電阻:150mΩ
柵極電荷�48nC
輸入電容�1740pF
開關頻率:高� 1MHz
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:TO-247
HGTG12N60C3D 具有低導通電�,能夠顯著降低傳導損耗,從而提高效�。其快速開關特性使得它非常適合高頻應用,例如開關電�、DC-DC 轉換器和電機驅動�。此�,該器件還具有較低的柵極電荷和輸出電�,進一步優(yōu)化了開關性能�
通過采用先進的 Trench 工藝,HGTG12N60C3D 在確保高耐壓能力的同�,還保持了較小的芯片尺寸,提升了功率密度。該產品還具有優(yōu)異的雪崩能力和抗浪涌能力,能夠在惡劣的工作條件下可靠運行�
HGTG12N60C3D 廣泛應用于各種電力電子設備中,包括但不限于以下領域:
1. 開關模式電源 (SMPS)
2. DC-DC 轉換�
3. 電機驅動和控�
4. 太陽能逆變�
5. 電動工具
6. 工業(yè)自動化設�
7. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)
這些應用場景充分利用� HGTG12N60C3D 的高�、高速和高可靠性特點�
HGTG12N60C3
HGTG12N60C3L
IRFP460
FDP12N60