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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 17:33:05 查看 閱讀�21

HGTG12N60C3D 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET,采� Trench 技術制�。該器件具有低導通電�、高開關速度和良好的熱性能,適用于高頻開關應用。其額定電壓� 600V,能夠承受較高的瞬態(tài)電壓,同時具備出色的耐用性和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�12A
  導通電阻:150mΩ
  柵極電荷�48nC
  輸入電容�1740pF
  開關頻率:高� 1MHz
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-247

特�

HGTG12N60C3D 具有低導通電�,能夠顯著降低傳導損耗,從而提高效�。其快速開關特性使得它非常適合高頻應用,例如開關電�、DC-DC 轉換器和電機驅動�。此�,該器件還具有較低的柵極電荷和輸出電�,進一步優(yōu)化了開關性能�
  通過采用先進的 Trench 工藝,HGTG12N60C3D 在確保高耐壓能力的同�,還保持了較小的芯片尺寸,提升了功率密度。該產品還具有優(yōu)異的雪崩能力和抗浪涌能力,能夠在惡劣的工作條件下可靠運行�

應用

HGTG12N60C3D 廣泛應用于各種電力電子設備中,包括但不限于以下領域:
  1. 開關模式電源 (SMPS)
  2. DC-DC 轉換�
  3. 電機驅動和控�
  4. 太陽能逆變�
  5. 電動工具
  6. 工業(yè)自動化設�
  7. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)
  這些應用場景充分利用� HGTG12N60C3D 的高�、高速和高可靠性特點�

替代型號

HGTG12N60C3
  HGTG12N60C3L
  IRFP460
  FDP12N60

hgtg12n60c3d推薦供應� 更多>

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hgtg12n60c3d參數(shù)

  • 產品培訓模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝150
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2.2V @ 15V�15A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)24A
  • 功率 - 最�104W
  • 輸入類型標準�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應商設備封�TO-247
  • 包裝管件