BW-S10W2是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等場景。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn),適用于需要高效能和高可靠性的電路�(shè)��
該器件采用了先�(jìn)的制造工�,確保在高頻開關(guān)條件下仍能保持較低的功耗和較高的效�。其封裝形式通常為TO-220或TO-252,便于散熱并適合多種�(yīng)用環(huán)境�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�35nC
開關(guān)速度�40ns
工作溫度范圍�-55℃至150�
BW-S10W2具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(1.5mΩ�,有助于降低功率損耗�
2. 高效的開�(guān)性能,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用需求�
3. �(nèi)置過溫保�(hù)功能,提升了系統(tǒng)的安全��
4. 良好的熱�(wěn)定�,即使在極端溫度條件下也能穩(wěn)定工��
5. 封裝形式多樣,滿足不同應(yīng)用場景的安裝要求�
6. 具備較高的抗電磁干擾能力,適合復(fù)雜電磁環(huán)境下的使��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源中的主功率開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心元件�
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率輸出級�
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
6. 其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場��
IRFZ44N
STP10NK60Z
FDP15N60E