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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GR442QR73D101KW01L

GR442QR73D101KW01L 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 18:41:00 查看 閱讀�19

GR442QR73D101KW01L 是一款由東芝(Toshiba)生產的溝道� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 DPAK 封裝,適合于開關電源、電機驅�、DC-DC 轉換器以及其他需要高效能開關的應用場��
  這款 MOSFET 的設計旨在提供低導通電阻和快速開關性能,以減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�45A
  導通電阻(典型值)�1.8mΩ
  柵極電荷�45nC
  工作溫度范圍�-55� to 150�
  封裝形式:TO-263-3

特�

GR442QR73D101KW01L 提供了低導通電阻(Rds(on)�,這對于降低導通損耗至關重�。同�,其較低的柵極電荷使得開關速度更快,從而減少了開關損耗�
  此外,該器件具有出色的熱�(wěn)定性和耐用�,在高溫�(huán)境下仍能保持可靠的性能�
  它還具備較低的輸入電容和輸出電容,有助于進一步提升開關效�。整體上,這款 MOSFET 為高頻應用提供了�(yōu)異的效能表現(xiàn),并且能夠承受較大的電流負載�

應用

該型號的 MOSFET 廣泛應用于各種電力電子設備中,包括但不限于:
  1. 開關模式電源 (SMPS)
  2. DC-DC 轉換�
  3. 電機驅動控制
  4. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的功率管理模塊
  5. 太陽能逆變�
  6. 電動汽車相關的充電及控制系統(tǒng)
  由于其高效率和強大的電流承載能力,它非常適合要求高性能和可靠性的場合�

替代型號

GR442QR73D101KW01L, IRFZ44N, FDP5570N

gr442qr73d101kw01l推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

gr442qr73d101kw01l參數(shù)

  • 標準包裝2,000
  • 類別電容�
  • 家庭陶瓷
  • 系列GR4
  • 電容100pF
  • 電壓 - 額定2000V�2kV�
  • 容差±10%
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 應用通用
  • 額定�-
  • 封裝/外殼1808�4520 公制�
  • 尺寸/尺寸0.177" L x 0.079" W�4.50mm x 2.00mm�
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.059"�1.50mm�
  • 引線間隔-
  • 特點-
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 引線�-