FDG6321C 是一款高性能� P 溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效�(yīng)晶體管(MOSFET�,主要用于電源管理和�(fù)載切換等�(yīng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定性,能夠在高頻開�(guān)電路中提供高效的性能�
FDG6321C 的設(shè)計使其非常適合在汽車電子、工�(yè)控制以及消費類電子產(chǎn)品中使用,特別是在需要高效能與高可靠性的場景��
最大漏源電壓:-40V
連續(xù)漏極電流�-3.8A
�(dǎo)通電阻:95mΩ
柵極電荷�7nC
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:SOT-23
FDG6321C 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了較低的功率損耗,從而提高了整體效率�
2. 快速的開關(guān)速度能夠減少開關(guān)損耗,適合高頻�(yīng)��
3. 良好的熱�(wěn)定性使它能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定性能�
4. 小巧� SOT-23 封裝節(jié)省了 PCB 空間,適合緊湊型�(shè)��
5. 高耐壓能力使得該器件適用于多種電壓等級的應(yīng)用場景�
FDG6321C 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源中的�(fù)載開�(guān)�
2. 電池保護(hù)電路中的過流保護(hù)�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理�
4. 工業(yè)�(shè)備中的信號切��
5. 消費類電子產(chǎn)品中的小型化電路�(shè)��
FDG6321P, SI2301DS, AO3401A