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GJM1555C1H200JB01J 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 13:52:06 查看 閱讀�7

GJM1555C1H200JB01J 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,適用于高壓�(huán)境下的各種電子設(shè)�,如工業(yè)控制、通信電源和消�(fèi)類電子產(chǎn)��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  額定電壓�650V
  額定電流�200A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ(典型值,@Vgs=10V�
  柵極電荷�150nC(最大值)
  開關(guān)�(shí)間:ton=18ns,toff=32ns(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C�+175°C
  封裝形式:D2PAK(TO-263�

特�

GJM1555C1H200JB01J 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力:可承受高達(dá)650V的漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下的可靠��
  2. 超低�(dǎo)通電阻:僅為1.2mΩ(典型值),有效減少傳�(dǎo)損�,提高效��
  3. 快速開�(guān)性能:具有較低的柵極電荷和優(yōu)化的開關(guān)�(shí)�,適合高頻應(yīng)用�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在寬溫范圍�(nèi)保持�(wěn)定的電氣性能,適�(yīng)惡劣的工作條��
  5. 高電流承載能力:支持200A的最大連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需��
  6. 小尺寸封裝:采用D2PAK封裝,節(jié)省PCB空間,便于布局�(shè)�(jì)�
  這些特性使該芯片成為高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇�

�(yīng)�

GJM1555C1H200JB01J 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS):用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)管�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于無刷直流電機(jī)(BLDC)和其他類型的電�(jī)控制��
  3. 工業(yè)逆變器:用于太陽能逆變�、不間斷電源(UPS)等�
  4. 汽車電子:如電動(dòng)車牽引逆變器、車載充電器��
  5. 其他需要高功率密度和高效率的應(yīng)用場景,例如通信基站電源和消�(fèi)類適配器�
  其卓越的電氣特性和可靠性使其成為多種高壓大電流�(yīng)用場合的最佳選��

替代型號(hào)

GJM1555C1H200JB02J, IRFP260N, FDP18N65C3

gjm1555c1h200jb01j推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gjm1555c1h200jb01j參數(shù)

  • 制造商Murata
  • 電容200 pF
  • 容差5 %
  • 電壓額定�50 Volts
  • 溫度系數(shù)/代碼C0G (NP0)
  • 外殼代碼 - in0402
  • 外殼代碼 - mm1005
  • 工作溫度范圍- 55 C to + 125 C
  • �(chǎn)�High Q MLCCs
  • 封裝Reel
  • Capacitance - nF0.2 nF
  • 尺寸0.5 mm W x 1 mm L x 0.5 mm H
  • 封裝 / 箱體0402 (1005 metric)
  • 系列GJM
  • 工廠包裝�(shù)�50000
  • 端接類型SMD/SMT