BFG540XR是一款高頻砷化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaAs FET�,主要用于射頻和微波�(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的GaAs工藝制�,具有低噪聲、高增益和寬頻帶的特�(diǎn),適合于�(wú)線通信、雷�(dá)系統(tǒng)以及�(cè)試測(cè)量設(shè)備中的放大器�(shè)�(jì)�
BFG540XR的工作頻率范圍非常廣,可以覆蓋從幾十MHz到超�(guò)10GHz的頻段,使其成為許多高性能射頻電路的理想選�。此�,其封裝形式通常為表面貼裝或金屬密封,確保了良好的散熱性能和電氣穩(wěn)定��
類型:砷化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaAS FET�
工作頻率范圍�30 MHz � 12 GHz
增益�12 dB 典型�
噪聲系數(shù)�2.0 dB 典型�
最大漏極電流(Id):250 mA
最大漏源電壓(Vds):8 V
最大柵源電壓(Vgs):±6 V
輸出功率(Pout, 1 dB 壓縮�(diǎn)):+12 dBm
封裝形式:表面貼�/SOT-363 � 金屬密封�
BFG540XR的主要特性包括:
1. 高頻率操作能�,支持高�(dá)12GHz的應(yīng)用場(chǎng)景�
2. 低噪聲系�(shù),典型值僅�2.0dB,保證了在接收機(jī)前端等低噪聲要求�(huán)境下的優(yōu)秀表現(xiàn)�
3. 寬帶增益性能,在整�(gè)工作頻段�(nèi)提供�(wěn)定的12dB增益�
4. 小信�(hào)模型參數(shù)�(jīng)�(guò)�(yōu)化,便于�(jìn)行精確的射頻電路�(shè)�(jì)與仿��
5. 良好的線性度和動(dòng)�(tài)范圍,適用于多種�(fù)雜的�(diào)制方��
6. 表面貼裝或金屬密封封裝選�(xiàng),簡(jiǎn)化了PCB布局并增�(qiáng)了可靠��
7. �(wěn)定性和溫度適應(yīng)性強(qiáng),能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能不變�
8. 與標(biāo)�(zhǔn)CMOS或其他硅基技�(shù)相比,具備更高的電子遷移率和更低的寄生電容,從而實(shí)�(xiàn)更佳的高頻特��
BFG540XR適用于以下領(lǐng)域:
1. �(wú)線通信系統(tǒng)的射頻前端模塊,如基�、中繼器和移�(dòng)終端�(shè)備�
2. �(wèi)星通信及地面站�(shè)備中的低噪聲放大器(LNA��
3. 雷達(dá)收發(fā)組件,特別是軍用或氣象雷�(dá)系統(tǒng)�
4. �(cè)試測(cè)�?jī)x�,例如頻譜分析儀、矢量網(wǎng)�(luò)分析儀��
5. �(yī)療成像設(shè)備中的高頻信�(hào)處理部分�
6. 工業(yè)自動(dòng)化控制領(lǐng)域的高精度傳感器接口電路�
7. �(shí)�(yàn)室研究平�(tái)上的任意波形�(fā)生器或高速數(shù)�(jù)采集��
由于其卓越的高頻性能和低噪聲特點(diǎn),BFG540XR在需要高靈敏度和寬帶寬的�(chǎng)合尤為適用�
BFP540, ATF-21070, HMC361