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AOSD62666E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 16:42:57 查看 閱讀�29

AOSD62666E是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì)。該器件屬于P溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通損耗的多種�(yīng)�。AOSD62666E采用了DFN5x6封裝形式,能夠提供出色的熱性能和電氣性能。其典型�(yīng)用場景包括負(fù)載開�(guān)、電源管理模�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及便攜式電子設(shè)備中的電源開�(guān)��
  由于其優(yōu)化的Rds(on)特�,該器件能夠在高頻開�(guān)條件下保持高效率,并且具備較低的柵極電荷,從而有助于減少開關(guān)損�。此�,AOSD62666E還具有堅(jiān)固的雪崩擊穿能力,確保在惡劣�(huán)境下�(wěn)定工��

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏電�(Id)�17A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ(在Vgs=-4.5V�(shí)�
  柵極電荷(Qg)�19nC
  總電�(Ciss)�1090pF
  漏源極電�(Qoss)�22nC
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55°C to +150°C
  封裝形式:DFN5x6

特�

AOSD62666E的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻,這使其成為對能效要求高的�(yīng)用的理想選擇。它具有快速開�(guān)速度,得益于其低柵極電荷�(shè)�(jì),可顯著降低開關(guān)損��
  此外,該器件的緊湊型DFN5x6封裝非常適合空間受限的設(shè)�(jì),同�(shí)仍然提供良好的散熱性能。AOSD62666E還具備較�(qiáng)的抗靜電能力(ESD),有助于提高系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��
  該器件的典型�(yīng)用領(lǐng)域包括消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)、通信�(shè)備中的電源管理模塊以及工�(yè)自動化系�(tǒng)中的開關(guān)電源�。通過�(yōu)化的生產(chǎn)工藝,AOSD62666E能夠在高溫和高壓條件下保持穩(wěn)定的工作狀�(tài),是高性能電源解決方案的關(guān)鍵元件�

�(yīng)�

AOSD62666E廣泛�(yīng)用于以下場景�
  1. �(fù)載開�(guān):用于控制各種電路的電源供應(yīng),例如筆記本電腦、平板電腦和其他便攜式設(shè)��
  2. 電源管理:在電池供電�(shè)備中用作高效的電源切換組��
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器:作為功率級開關(guān)元件,幫助實(shí)�(xiàn)高效率的能量�(zhuǎn)��
  4. 工業(yè)控制:如電機(jī)�(qū)�、照明控制以及其他需要精確電源管理的�(yīng)��
  5. 通信�(shè)備:為基�、路由器等網(wǎng)�(luò)�(shè)備提供可靠的電源管理功能�
  這些�(yīng)用都受益于AOSD62666E的低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)特性和緊湊的封裝尺寸�

替代型號

AONP120S,
  AOD513,
  AO4406A

aosd62666e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

aosd62666e參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�24,195�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �9.22000剪切帶(CT�3,000 : �3.90324卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N-通道(雙�
  • FET 功能邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss�60V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)9.5A(Ta�
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)14.5 毫歐 @ 9.5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)10nC @ 4.5V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)755pF @ 30V
  • 功率 - 最大�2.5W(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封�8-SOIC