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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GCQ1555C1HR13WB01D

GCQ1555C1HR13WB01D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 23:15:21 查看 閱讀�11

GCQ1555C1HR13WB01D 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提高整體性能�
  這款芯片屬于溝道型MOSFET,特別適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)合,其出色的�(dòng)�(tài)特性和熱性能使其成為�(shè)�(jì)工程師的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):GCQ1555C1HR13WB01D
  類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�45A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.3mΩ
  功�(Ptot)�175W
  封裝形式:TO-247-3
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

GCQ1555C1HR13WB01D 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用�
  3. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下保持可靠�(yùn)行�
  4. �(nèi)置反向二極管,支持同步整流功能�
  5. 高雪崩能量耐受能力,增�(qiáng)器件在異常條件下的魯棒性�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)或同步整流元��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換�
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 的保�(hù)電路�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開�(guān)�

替代型號(hào)

GCQ1555C1HR13WB02D, IRFZ44N, FDP5500

gcq1555c1hr13wb01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gcq1555c1hr13wb01d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�10,000 : �0.56398卷帶(TR�
  • 系列GCQ
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.13 pF
  • 容差±0.05pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�RF,微波,高頻,汽車級(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" �(zhǎng) x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"�0.55mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-