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GA1210Y223JBCAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 19:37:31 查看 閱讀�3

GA1210Y223JBCAR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)芯片,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動和信號切換等場�。該型號屬于溝道增強� MOSFET,能�?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān)和低導通電阻特�,從而提升效率并降低功��
  該芯片采用先進的制造工藝設�,具有較高的耐壓能力和電流承載能力,適用于各種工�(yè)和消費類電子設備�

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝形式:TO-263
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�10A
  導通電�(Rds(on))�22mΩ
  柵極電荷(Qg)�50nC
  總功�(Ptot)�75W
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

GA1210Y223JBCAR31G 具有以下顯著特點�
  1. 極低的導通電� (Rds(on)),在高電流應用場景下能有效減少功率損��
  2. 快速開�(guān)性能,適合高頻開�(guān)應用�
  3. 高擊穿電壓和大電流處理能�,確保其能夠在嚴苛條件下�(wěn)定運��
  4. 封裝設計緊湊,便于集成到各種電路板中�
  5. 良好的熱�(wěn)定�,能在寬溫范圍內(nèi)保持性能一致��
  6. �(nèi)置保護功�,如過流保護和短路保�,提高系�(tǒng)可靠��
  這些特性使� GA1210Y223JBCAR31G 成為眾多高壓、大電流應用的理想選��

應用

這款芯片主要應用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電機�(qū)動電路中的逆變器模��
  3. 汽車電子系統(tǒng),例如電動助力轉(zhuǎn)向和制動系統(tǒng)�
  4. 工業(yè)控制設備中的信號隔離與放��
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控制�
  6. 各種家用電器的電源管理單��
  由于其出色的電氣特性和可靠性,GA1210Y223JBCAR31G 在許多高性能要求的應用中表現(xiàn)出色�

替代型號

IRFZ44N, FDP55N10, STP10NK60Z

ga1210y223jbcar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-