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DVMD28F/HB 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 17:51:59 查看 閱讀�18

DVMD28F/HB 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)�(qū)�(dòng)芯片,專為需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片能夠提供快速開�(guān)和低功耗特性,適用于多種工�(yè)、汽車以及消�(fèi)電子�(lǐng)�。它通過�(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)架構(gòu),確保了對MOSFET或IGBT的最佳控制性能�

參數(shù)

類型:MOSFET �(qū)�(dòng)�
  工作電壓范圍�4.5V � 18V
  峰值輸出電流:±4A
  傳播延遲�30ns 典型�
  隔離耐壓�2500V RMS
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  封裝形式:SOIC-8

特�

DVMD28F/HB 提供高效的驅(qū)�(dòng)能力,其主要特性如下:
  1. 快速開�(guān)能力:由于其�(nèi)部優(yōu)化的�(shè)�(jì),DVMD28F/HB 能夠在高速應(yīng)用中�(shí)�(xiàn)低延��
  2. 高電流輸出:支持高達(dá) ±4A 的峰值電流輸出,適合�(qū)�(dòng)大功� MOSFET � IGBT�
  3. 寬工作電壓范圍:� 4.5V � 18V 的輸入電壓范圍使其適�(yīng)各種電源�(huán)��
  4. �(qiáng)化保�(hù)功能:內(nèi)置過流保�(hù)、欠壓鎖定以及熱�(guān)斷等功能,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠��
  5. 高度集成:減少了外圍元件的需求,從而簡化了電路�(shè)�(jì)并降低了成本�
  6. 小型封裝:采� SOIC-8 封裝,節(jié)省了 PCB 空間,非常適合緊湊型�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

DVMD28F/HB 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于提高效率和穩(wěn)定��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):為無刷直流電機(jī)或其他類型的電機(jī)提供精確的控制信號�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化:包括變頻�、伺服驅(qū)�(dòng)器等需要高精度功率控制的場��
  4. 汽車電子:如電動(dòng)車窗、座椅調(diào)節(jié)、發(fā)�(dòng)�(jī)控制單元��
  5. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:如筆記本電腦適配�、LED 照明�(qū)�(dòng)等�

替代型號

DVMD28F/LB, IR2110, TC4420

dvmd28f/hb推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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