GA1210A821GXEAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應用于開關電源、電機驅(qū)動和負載切換等場�。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和高效率的特點,能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體性能�
該型號屬于增強型 N 溝道 MOSFET,具有快速開關特性和出色的熱�(wěn)定�,非常適合要求高效能和可靠性的應用場合�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�82A
導通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
總功�(Ptot)�190W
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247-3
GA1210A821GXEAT31G 具備以下主要特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)) 可以減少導通損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高雪崩能量能力,確保在異常條件下也能保持可靠��
3. 快速開關速度有助于降低開關損�,并允許更高的工作頻��
4. �(yōu)化的 Qg(柵極電荷)設計,可降低�(qū)動損耗�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�
6. 良好的熱性能使其能夠在高功率密度�(huán)境下�(wěn)定運��
7. 支持表面貼裝技� (SMT),便于自動化生產(chǎn)與組��
這款功率 MOSFET 廣泛適用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率級開��
2. 電機控制和驅(qū)動電路中的逆變器或斬波器功��
3. 工業(yè)設備中的負載切換和保��
4. 通信電源和服務器電源模塊中的同步整流�
5. 太陽能逆變器以及其他新能源相關設備中的功率管理�
6. 各種需要高效率和大電流處理能力的應用場景�
GA1210A821GXEAJ21G
IRFP260N
STP80NF120
FDP8880