GA1210A102GBBAR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�。該器件采用增強型場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)設(shè)�,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等高功率密度應(yīng)用。它具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高擊穿電壓的特點,能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減少熱損��
該芯片主要針對需要高性能和高效率的工�(yè)及消費類電子�(shè)�,其封裝形式為表面貼裝類型,便于自動化生�(chǎn)和散熱管��
型號:GA1210A102GBBAR31G
類型:增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
最大漏源電壓:650 V
最大導(dǎo)通電阻:100 mΩ(典型值)
連續(xù)漏極電流�15 A
柵極電荷�45 nC(典型值)
反向恢復(fù)時間:小�20 ns
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:表面貼�
1. 高擊穿電壓:支持高達650V的工作電壓,確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運��
2. 極低的導(dǎo)通電阻:典型值為100mΩ,大幅降低傳�(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)性能:具有低柵極電荷和短反向恢復(fù)時間,非常適合高頻應(yīng)��
4. 熱穩(wěn)定性強:能在高溫環(huán)境下保持良好的電氣性能�
5. 小型化設(shè)計:表面貼裝封裝有助于縮小整體電路尺寸�
6. 節(jié)能高效:通過減少開關(guān)和傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)的整體效率�
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動與控制
4. 太陽能逆變�
5. 電動車輛充電模塊
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高頻功率變換器
GA1210A102GBBAR31H, GA1210A102GBBAR31F