日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GA1210A102GBBAR31G

GA1210A102GBBAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 18:17:58 查看 閱讀�12

GA1210A102GBBAR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�。該器件采用增強型場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)設(shè)�,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等高功率密度應(yīng)用。它具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高擊穿電壓的特點,能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減少熱損��
  該芯片主要針對需要高性能和高效率的工�(yè)及消費類電子�(shè)�,其封裝形式為表面貼裝類型,便于自動化生�(chǎn)和散熱管��

參數(shù)

型號:GA1210A102GBBAR31G
  類型:增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
  最大漏源電壓:650 V
  最大導(dǎo)通電阻:100 mΩ(典型值)
  連續(xù)漏極電流�15 A
  柵極電荷�45 nC(典型值)
  反向恢復(fù)時間:小�20 ns
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:表面貼�

特�

1. 高擊穿電壓:支持高達650V的工作電壓,確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:典型值為100mΩ,大幅降低傳�(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)性能:具有低柵極電荷和短反向恢復(fù)時間,非常適合高頻應(yīng)��
  4. 熱穩(wěn)定性強:能在高溫環(huán)境下保持良好的電氣性能�
  5. 小型化設(shè)計:表面貼裝封裝有助于縮小整體電路尺寸�
  6. 節(jié)能高效:通過減少開關(guān)和傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)的整體效率�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機�(qū)動與控制
  4. 太陽能逆變�
  5. 電動車輛充電模塊
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高頻功率變換器

替代型號

GA1210A102GBBAR31H, GA1210A102GBBAR31F

ga1210a102gbbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1000 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-